AI芯片霸主英伟达(NVDA.US)的最中枢HBM存储系统供应商SK海力士(SK Hynix)权术扩大东谈主工智能基础圭表的中枢硬件组件——HBM存储系统等下一代动态当场存取存储(DRAM)芯片的产能。据了解，这家韩国存储芯片制造商权术投资约5.3万亿韩元(梗概38.6亿好意思元)，在韩国忠清北谈的清州建造M15X晶圆厂，动作新的DRAM存储芯片大型出产基地。此前不久SK海力士通知权术投资约40亿好意思元，在好意思国成立大型的芯片先进封装工场。

据了解，这项大型树立将于4月底运行，瞻望可能于2025年11月完工，并进行早期的存储芯片批量出产。从永久角度来看，跟着AI所需的硬件劝诱投资规模渐渐加多，新出产基地的恒久总投资额可能将逾越20万亿韩元。

SK海力士总裁兼首席奉行官Kwak Noh-Jung暗示:“M15X将成为向全国提供东谈主工智能关节存储劝诱的最中枢出产圭表，将成为连合公司当今和未来的跳板。”

在公共科技企业布局AI的这股前所未有狂热海浪中，SK海力士提供的HBM存储系统可谓AI最中枢基础圭表之一，其蹙迫性与英伟达H100等AI GPU并驾皆驱。该公司在HBM市集占据满盈的主导地位，SK海力士为英伟达高性能AI GPU——H100/H200 HBM存储系统的独家供应商，此外，SK海力士面前已运行全面量产集成英伟达AI GPU的新一代HBM存储——HBM3E，首批出货还是于3月托付给英伟达。

HBM是一种高带宽、稚子耗的存储时期，有意用于高性能计算和图形责罚领域。通过基于3D堆叠工艺的先进封装，多个DRAM存储芯片好像堆叠在沿路造成HBM存储系统，况兼通过细小的Through-Silicon Vias(TSVs)进行数据传输，从而达成高速高带宽的数据传输。

HBM主要用于高性能图形卡、AI加快、高性能计算和数据中心行状器等领域，其高带宽特质，以及极低延伸和高能效比使得责罚器好像更快地探听存储空间，大幅擢升计算性能和恶果。在AI基础圭表领域，HBM存储系统搭配英伟达H100 AI GPU系统，以及行将量产的B200和H200等AI GPU系统使用。华尔街大行高盛日前发布研报称，瞻望HBM存储的市集总规模将从2022年到2026年前增长10倍(4年复合年增长率高达77%)，从2022年的23亿好意思元增长至2026年的230亿好意思元。

HBM市集方面，纵容2022年，三大原厂HBM市占率分辩为SK海力士50%、三星电子约40%、好意思光约10%，由于SK海力士在HBM领域最早发力，早在2016年已涉足这一领域，因此占据着绝大多量市集份额。有业内东谈主士暗示，2023年SK海力士HBM市集份额散播将在55%摆布，位列满盈主导地位。

另外，SK海力士还权术按照当初制定的权术，向韩国龙仁半导体产业园区投资120万亿韩元摆布。

该公司指出，这些投资规模是为了互助东谈主工智能芯片需求的相配快速增长行为，尤其是HBM存储系统，况兼该公司瞻望行状器高容量DDR5模块居品需求也将稳步增长。

据媒体报谈，这家总部位于韩国的存储巨头还盘算推算投资约40亿好意思元，在好意思国印第安纳州西拉斐特成立大型的芯片先进封装工场，力求彭胀HBM存储产能以得志英伟达浩繁需求，瞻望该先进封装厂将于2028年运走运营并初步投产。

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背负剪辑：郭明煜 万博的官网地址是什么